BSO110N03MSGXUMA1 - MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für BSO110N03MSGXUMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BSO110N03MSGXUMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 12.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1500pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.56W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-DSO-8
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : BSO11 , BSO110N0

Dokumente für BSO110N03MSGXUMA1

Datenblätter : BSO110N03MSGXUMA1.pdf

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