2SK3666-3-TB-E - JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

Hersteller Teilenummer

2SK3666-3-TB-E

Interne Teilenummer

ABC-2SK3666-3-TB-E

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

6809334 Pieces

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Technische Daten für 2SK3666-3-TB-E

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 2SK3666-3-TB-E

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS) : -

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) : 1.2mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max : 10mA

Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id : 180mV @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein) : 200 Ohms

Leistung max : 200mW

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Supplier Device Package : 3-CP

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : 2SK3 , 2SK3666

Dokumente für 2SK3666-3-TB-E

Datenblätter : 2SK3666-3-TB-E.pdf

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