HAT2131R-EL-E - MOSFET N-CH 8SO

Hersteller Teilenummer

HAT2131R-EL-E

Interne Teilenummer

ABC-HAT2131R-EL-E

Hersteller

Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 8SO

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

86912 Pieces

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Technische Daten für HAT2131R-EL-E

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : HAT2131R-EL-E

Hersteller : Renesas Electronics America

Beschreibung : MOSFET N-CH 8SO

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 350V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 900mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 450mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 460pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SOP

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für HAT2131R-EL-E

Datenblätter : HAT2131R-EL-E.pdf

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