DMN2320UFB4-7B - MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3

Hersteller Teilenummer

DMN2320UFB4-7B

Interne Teilenummer

ABC-DMN2320UFB4-7B

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für DMN2320UFB4-7B

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN2320UFB4-7B

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.89nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 71pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 520mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : X2-DFN1006-3

Paket / fall : 3-XFDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : DMN2 , DMN2320

Dokumente für DMN2320UFB4-7B

Datenblätter : DMN2320UFB4-7B.pdf

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