TSM60NB099PW C1G - MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247

Hersteller Teilenummer

TSM60NB099PW C1G

Interne Teilenummer

ABC-TSM60NB099PW C1G

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

106568 Pieces

Referenzpreis

~~USD 3.51~~

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Technische Daten für TSM60NB099PW C1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TSM60NB099PW C1G

Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation

Beschreibung : MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 38A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 11.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2587pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 329W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-247

Paket / fall : TO-247-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : TSM60 , TSM60NB0

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Datenblätter : TSM60NB099PW C1G.pdf

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