STB30NM60ND - MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK

Hersteller Teilenummer

STB30NM60ND

Interne Teilenummer

ABC-STB30NM60ND

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

98976 Pieces

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Technische Daten für STB30NM60ND

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : STB30NM60ND

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK

Serie : FDmesh™ II

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 25A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 190W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D2PAK

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für STB30NM60ND

Datenblätter : STB30NM60ND.pdf

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