JAN1N4150UR-1 - DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA

Hersteller Teilenummer

JAN1N4150UR-1

Interne Teilenummer

ABC-JAN1N4150UR-1

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

350588 Pieces

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Technische Daten für JAN1N4150UR-1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : JAN1N4150UR-1

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA

Serie : Military, MIL-PRF-19500/231

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 50V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 200mA

Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr) : 4ns

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100nA @ 50V

Kapazität @ Vr, F : -

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : DO-213AA

Supplier Device Package : DO-213AA

Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : JAN1 , JAN1N4

Dokumente für JAN1N4150UR-1

Datenblätter : JAN1N4150UR-1.pdf

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