FDD6512A - MOSFET N-CH 20V 10.7A D-PAK

Hersteller Teilenummer

FDD6512A

Interne Teilenummer

ABC-FDD6512A

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 10.7A D-PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für FDD6512A

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDD6512A

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 10.7A D-PAK

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10.7A (Ta), 36A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 10.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1082pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.8W (Ta), 43W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D-PAK (TO-252)

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FDD6512A

Datenblätter : FDD6512A.pdf

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