DMN2500UFB4-7 - MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN

Hersteller Teilenummer

DMN2500UFB4-7

Interne Teilenummer

ABC-DMN2500UFB4-7

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für DMN2500UFB4-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN2500UFB4-7

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 810mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.74nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±6V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 60.67pF @ 16V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 460mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : X2-DFN1006-3

Paket / fall : 3-XFDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : DMN2500UFB4-7.pdf

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