SI3900DV-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

Hersteller Teilenummer

SI3900DV-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SI3900DV-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1425620 Pieces

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Technische Daten für SI3900DV-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI3900DV-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

Leistung max : 830mW

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Supplier Device Package : 6-TSOP

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI390 , SI3900D

Dokumente für SI3900DV-T1-GE3

Datenblätter : SI3900DV-T1-GE3.pdf

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