SSM6N815R,LF - MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF

Hersteller Teilenummer

SSM6N815R,LF

Interne Teilenummer

ABC-SSM6N815R,LF

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

4354161 Pieces

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Technische Daten für SSM6N815R,LF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SSM6N815R,LF

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF

Serie : U-MOSVIII-H

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate, 4V Drive

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 103 mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 100µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3.1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 15V

Leistung max : 1.8W (Ta)

Betriebstemperatur : 150°C

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 6-SMD, Flat Leads

Supplier Device Package : 6-TSOP-F

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SSM6N815R,LF

Datenblätter : SSM6N815R,LF.pdf

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