CSD86336Q3D - 25V POWERBLOCK N CH MOSFET

Hersteller Teilenummer

CSD86336Q3D

Interne Teilenummer

ABC-CSD86336Q3D

Hersteller

T-I

Kurze Beschreibung

25V POWERBLOCK N CH MOSFET

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

892367 Pieces

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Technische Daten für CSD86336Q3D

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : CSD86336Q3D

Hersteller : T-I

Beschreibung : 25V POWERBLOCK N CH MOSFET

Serie : NexFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion : Logic Level Gate, 5V Drive

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.1 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V

Leistung max : 6W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 125°C

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Supplier Device Package : 8-VSON (3.3x3.3)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für CSD86336Q3D

Datenblätter : CSD86336Q3D.pdf

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