HGT1S2N120CN - IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

Hersteller Teilenummer

HGT1S2N120CN

Interne Teilenummer

ABC-HGT1S2N120CN

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

84024 Pieces

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Technische Daten für HGT1S2N120CN

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : HGT1S2N120CN

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

IGBT-Typ : NPT

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 20A

Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 2.6A

Leistung max : 104W

Energie wechseln : 96µJ (on), 355µJ (off)

Eingabetyp : Standard

Gate Charge : 30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C : 25ns/205ns

Testbedingung : 960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr) : -

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Supplier Device Package : TO-262

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : HGT1 , HGT1S2

Dokumente für HGT1S2N120CN

Datenblätter : HGT1S2N120CN.pdf

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