NTJD1155LT1G - MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363

Hersteller Teilenummer

NTJD1155LT1G

Interne Teilenummer

ABC-NTJD1155LT1G

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

5114445 Pieces

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Technische Daten für NTJD1155LT1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : NTJD1155LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N and P-Channel

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 8V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

Leistung max : 400mW

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Supplier Device Package : SC-88/SC70-6/SOT-363

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für NTJD1155LT1G

Datenblätter : NTJD1155LT1G.pdf

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