FDS6699S - MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

Hersteller Teilenummer

FDS6699S

Interne Teilenummer

ABC-FDS6699S

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1005179 Pieces

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Technische Daten für FDS6699S

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDS6699S

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

Serie : PowerTrench®, SyncFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 21A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 91nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3610pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SOIC

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FDS6699S.pdf

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