GB05SLT12-252 - DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252

Hersteller Teilenummer

GB05SLT12-252

Interne Teilenummer

ABC-GB05SLT12-252

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Kurze Beschreibung

DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

214544 Pieces

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Technische Daten für GB05SLT12-252

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : GB05SLT12-252

Hersteller : GeneSiC Semiconductor

Beschreibung : DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252

Serie : -

Teilestatus : Not For New Designs

Diodentyp : Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 2A

Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : 0ns

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 50µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F : 260pF @ 1V, 1MHz

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Supplier Device Package : TO-252

Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : GB05 , GB05SL

Dokumente für GB05SLT12-252

Datenblätter : GB05SLT12-252.pdf

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