IXTD4N80P-3J - MOSFET N-CH 800

Hersteller Teilenummer

IXTD4N80P-3J

Interne Teilenummer

ABC-IXTD4N80P-3J

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 800

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

42614 Pieces

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Technische Daten für IXTD4N80P-3J

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXTD4N80P-3J

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 800

Serie : PolarHV™

Teilestatus : Last Time Buy

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 Ohm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 100µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14.2nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 750pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 100W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : Die

Paket / fall : Die

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IXTD4N80P-3J

Datenblätter : IXTD4N80P-3J.pdf

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