RS1E200BNTB - MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Hersteller Teilenummer

RS1E200BNTB

Interne Teilenummer

ABC-RS1E200BNTB

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

3461920 Pieces

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Technische Daten für RS1E200BNTB

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RS1E200BNTB

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.9 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 59nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3100pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3W (Ta), 25W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-HSOP

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für RS1E200BNTB

Datenblätter : RS1E200BNTB.pdf

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