BYC8B-600PQP - DIODE GEN PURP 600V 8A

Hersteller Teilenummer

BYC8B-600PQP

Interne Teilenummer

ABC-BYC8B-600PQP

Hersteller

NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 600V 8A

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

64512 Pieces

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Technische Daten für BYC8B-600PQP

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BYC8B-600PQP

Hersteller : NXP USA Inc.

Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 8A

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 3.4V @ 8A

Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : 18ns

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 20µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F : -

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Supplier Device Package : D2PAK

Betriebstemperatur - Übergang : 175°C (Max)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : BYC8 , BYC8B-

Dokumente für BYC8B-600PQP

Datenblätter : BYC8B-600PQP.pdf

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