SI6913DQ-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP

Hersteller Teilenummer

SI6913DQ-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SI6913DQ-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SI6913DQ-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI6913DQ-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 5.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 400µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

Leistung max : 830mW

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Supplier Device Package : 8-TSSOP

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SI6913DQ-T1-GE3

Datenblätter : SI6913DQ-T1-GE3.pdf

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