FDB86360-F085 - MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Hersteller Teilenummer

FDB86360-F085

Interne Teilenummer

ABC-FDB86360-F085

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 80V 110A TO263

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

246162 Pieces

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Technische Daten für FDB86360-F085

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDB86360-F085

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Serie : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 110A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 253nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 14600pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 333W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D²PAK (TO-263AB)

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FDB86360-F085.pdf

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