TK8Q65W,S1Q - MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK

Hersteller Teilenummer

TK8Q65W,S1Q

Interne Teilenummer

ABC-TK8Q65W,S1Q

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

419643 Pieces

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Technische Daten für TK8Q65W,S1Q

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TK8Q65W,S1Q

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK

Serie : DTMOSIV

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 670 mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 300µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 570pF @ 300V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 80W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : I-PAK

Paket / fall : TO-251-3 Stub Leads, IPak

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TK8Q65W,S1Q

Datenblätter : TK8Q65W,S1Q.pdf

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