TC58NYG2S0HBAI6 - IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller Teilenummer

TC58NYG2S0HBAI6

Interne Teilenummer

ABC-TC58NYG2S0HBAI6

Hersteller

Toshiba Memory America, Inc.

Kurze Beschreibung

IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

162152 Pieces

Referenzpreis

~~USD 2.565~~

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Technische Daten für TC58NYG2S0HBAI6

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TC58NYG2S0HBAI6

Hersteller : Toshiba Memory America, Inc.

Beschreibung : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Serie : -

Teilestatus : Active

Speichertyp : Non-Volatile

Speicherformat : FLASH

Technologie : FLASH - NAND (SLC)

Speichergröße : 4Gb (512M x 8)

Taktfrequenz : -

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 25ns

Zugriffszeit : 25ns

Speicherschnittstelle : Parallel

Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 67-VFBGA

Supplier Device Package : 67-VFBGA (6.5x8)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : TC58N , TC58NYG

Dokumente für TC58NYG2S0HBAI6

Datenblätter : TC58NYG2S0HBAI6.pdf

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