EPC2107ENGRT - GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE

Hersteller Teilenummer

EPC2107ENGRT

Interne Teilenummer

ABC-EPC2107ENGRT

Hersteller

EPC

Kurze Beschreibung

GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

754194 Pieces

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Technische Daten für EPC2107ENGRT

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : EPC2107ENGRT

Hersteller : EPC

Beschreibung : GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE

Serie : eGaN®

Teilestatus : Active

FET-Typ : 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)

FET-Funktion : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.7A, 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 16pF @ 50V, 7pF @ 50V

Leistung max : -

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 9-VFBGA

Supplier Device Package : 9-BGA (1.35x1.35)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für EPC2107ENGRT

Datenblätter : EPC2107ENGRT.pdf

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