TK6P65W,RQ - MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK

Hersteller Teilenummer

TK6P65W,RQ

Interne Teilenummer

ABC-TK6P65W,RQ

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1274126 Pieces

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Technische Daten für TK6P65W,RQ

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TK6P65W,RQ

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK

Serie : DTMOSIV

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 180µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 390pF @ 300V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 60W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DPAK

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TK6P65W,RQ

Datenblätter : TK6P65W,RQ.pdf

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