TPH6400ENH,L1Q - MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP

Hersteller Teilenummer

TPH6400ENH,L1Q

Interne Teilenummer

ABC-TPH6400ENH,L1Q

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

922292 Pieces

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Technische Daten für TPH6400ENH,L1Q

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TPH6400ENH,L1Q

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP

Serie : U-MOSVIII-H

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 64 mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 300µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11.2nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.6W (Ta), 57W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SOP Advance (5x5)

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : TPH6 , TPH6400

Dokumente für TPH6400ENH,L1Q

Datenblätter : TPH6400ENH,L1Q.pdf

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