1N8030-GA - DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257

Hersteller Teilenummer

1N8030-GA

Interne Teilenummer

ABC-1N8030-GA

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Kurze Beschreibung

DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

59408 Pieces

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Technische Daten für 1N8030-GA

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 1N8030-GA

Hersteller : GeneSiC Semiconductor

Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

Diodentyp : Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 650V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 750mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.39V @ 750mA

Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : 0ns

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F : 76pF @ 1V, 1MHz

Befestigungsart : Through Hole

Paket / fall : TO-257-3

Supplier Device Package : TO-257

Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 250°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : 1N8 , 1N80

Dokumente für 1N8030-GA

Datenblätter : 1N8030-GA.pdf

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