ZXMN3A06DN8TA - MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Hersteller Teilenummer

ZXMN3A06DN8TA

Interne Teilenummer

ABC-ZXMN3A06DN8TA

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

866278 Pieces

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Technische Daten für ZXMN3A06DN8TA

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : ZXMN3A06DN8TA

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA (Min)

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 796pF @ 25V

Leistung max : 1.8W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Supplier Device Package : 8-SOP

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : ZXMN , ZXMN3A

Dokumente für ZXMN3A06DN8TA

Datenblätter : ZXMN3A06DN8TA.pdf

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