SI8401DB-T1-E1 - MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP

Hersteller Teilenummer

SI8401DB-T1-E1

Interne Teilenummer

ABC-SI8401DB-T1-E1

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für SI8401DB-T1-E1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI8401DB-T1-E1

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.47W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 4-Microfoot

Paket / fall : 4-XFBGA, CSPBGA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SI8401DB-T1-E1

Datenblätter : SI8401DB-T1-E1.pdf

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