IPP65R125C7XKSA1 - MOSFET N-CH 650V 18A TO220

Hersteller Teilenummer

IPP65R125C7XKSA1

Interne Teilenummer

ABC-IPP65R125C7XKSA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 18A TO220

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

151752 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für IPP65R125C7XKSA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPP65R125C7XKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 18A TO220

Serie : CoolMOS™ C7

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 440µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1670pF @ 400V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 101W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : PG-TO220-3

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IPP65R125C7XKSA1

Datenblätter : IPP65R125C7XKSA1.pdf

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