IXFN26N120P - MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

Hersteller Teilenummer

IXFN26N120P

Interne Teilenummer

ABC-IXFN26N120P

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

76512 Pieces

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Technische Daten für IXFN26N120P

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXFN26N120P

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

Serie : Polar™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 23A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 460 mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 225nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 14000pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 695W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Chassis Mount

Supplier Device Package : SOT-227B

Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IXFN26N120P

Datenblätter : IXFN26N120P.pdf

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