IXTA18P10T - MOSFET P-CH 100V 18A TO-263

Hersteller Teilenummer

IXTA18P10T

Interne Teilenummer

ABC-IXTA18P10T

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 100V 18A TO-263

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

385084 Pieces

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Technische Daten für IXTA18P10T

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXTA18P10T

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET P-CH 100V 18A TO-263

Serie : TrenchP™

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V

Vgs (Max) : ±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2100pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 83W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-263 (IXTA)

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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