STD110N8F6 - MOSFET N-CH 80V 80A DPAK

Hersteller Teilenummer

STD110N8F6

Interne Teilenummer

ABC-STD110N8F6

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 80V 80A DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

831663 Pieces

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Technische Daten für STD110N8F6

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : STD110N8F6

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 80A DPAK

Serie : STripFET™ F6

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 9130pF @ 40V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 167W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DPAK

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für STD110N8F6

Datenblätter : STD110N8F6.pdf

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