DMG7401SFGQ-7 - MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

Hersteller Teilenummer

DMG7401SFGQ-7

Interne Teilenummer

ABC-DMG7401SFGQ-7

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für DMG7401SFGQ-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMG7401SFGQ-7

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 12A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 58nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2987pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 940mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerDI3333-8

Paket / fall : 8-PowerWDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DMG7401SFGQ-7

Datenblätter : DMG7401SFGQ-7.pdf

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