GA10SICP12-263 - TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

Hersteller Teilenummer

GA10SICP12-263

Interne Teilenummer

ABC-GA10SICP12-263

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Kurze Beschreibung

TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

43537 Pieces

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Technische Daten für GA10SICP12-263

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : GA10SICP12-263

Hersteller : GeneSiC Semiconductor

Beschreibung : TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : -

Technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 25A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 10A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1403pF @ 800V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 170W (Tc)

Betriebstemperatur : 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D2PAK (7-Lead)

Paket / fall : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : GA10SICP12-263.pdf

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