MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR - IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Hersteller Teilenummer

MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

Interne Teilenummer

ABC-MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

Hersteller

Micron Technology Inc.

Kurze Beschreibung

IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

Hersteller : Micron Technology Inc.

Beschreibung : IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

Speichertyp : Volatile

Speicherformat : DRAM

Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße : 8Gb (256M x 32)

Taktfrequenz : 1600MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -

Zugriffszeit : -

Speicherschnittstelle : -

Spannungsversorgung : 1.1V

Betriebstemperatur : -30°C ~ 85°C (TC)

Befestigungsart : -

Paket / fall : -

Supplier Device Package : -

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : MT53B256M3 , MT53B256M32D1GZ

Dokumente für MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

Datenblätter : MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR.pdf

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