IGT60R190D1SATMA1 - IC GAN FET 600V 23A 8HSOF

Hersteller Teilenummer

IGT60R190D1SATMA1

Interne Teilenummer

ABC-IGT60R190D1SATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

IC GAN FET 600V 23A 8HSOF

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

85272 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für IGT60R190D1SATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IGT60R190D1SATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : IC GAN FET 600V 23A 8HSOF

Serie : CoolGaN™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 960µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 157pF @ 400V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 55.5W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-HSOF-8-3

Paket / fall : 8-PowerSFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IGT60 , IGT60R19

Dokumente für IGT60R190D1SATMA1

Datenblätter : IGT60R190D1SATMA1.pdf

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