DMN1029UFDB-7 - MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Hersteller Teilenummer

DMN1029UFDB-7

Interne Teilenummer

ABC-DMN1029UFDB-7

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für DMN1029UFDB-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN1029UFDB-7

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 19.6nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 914pF @ 6V

Leistung max : 1.4W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 6-UDFN Exposed Pad

Supplier Device Package : U-DFN2020-6 (Type B)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DMN1029UFDB-7

Datenblätter : DMN1029UFDB-7.pdf

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