SSM3J15FV,L3F - MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM

Hersteller Teilenummer

SSM3J15FV,L3F

Interne Teilenummer

ABC-SSM3J15FV,L3F

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

19254403 Pieces

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Technische Daten für SSM3J15FV,L3F

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SSM3J15FV,L3F

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM

Serie : π-MOSVI

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.7V @ 100µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 9.1pF @ 3V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 150mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : VESM

Paket / fall : SOT-723

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : SSM3J15FV,L3F.pdf

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