FDS5690-NBBM009A - MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC

Hersteller Teilenummer

FDS5690-NBBM009A

Interne Teilenummer

ABC-FDS5690-NBBM009A

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für FDS5690-NBBM009A

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDS5690-NBBM009A

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Discontinued at Digi-Key

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V

Vgs (Max) : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1107pF @ 30V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SOIC

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FDS5690-NBBM009A

Datenblätter : FDS5690-NBBM009A.pdf

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