DMG3418L-13 - MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Hersteller Teilenummer

DMG3418L-13

Interne Teilenummer

ABC-DMG3418L-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

7159334 Pieces

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Technische Daten für DMG3418L-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMG3418L-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5.5nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 464.3pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.4W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SOT-23

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DMG3418L-13

Datenblätter : DMG3418L-13.pdf

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