APTM120DA30CT1G - MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Hersteller Teilenummer

APTM120DA30CT1G

Interne Teilenummer

ABC-APTM120DA30CT1G

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

71456 Pieces

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Technische Daten für APTM120DA30CT1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : APTM120DA30CT1G

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Serie : POWER MOS 8™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 31A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 560nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 14560pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 657W (Tc)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Chassis Mount

Supplier Device Package : SP1

Paket / fall : SP1

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : APTM1 , APTM120

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Datenblätter : APTM120DA30CT1G.pdf

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