DMN3016LDN-13 - MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Hersteller Teilenummer

DMN3016LDN-13

Interne Teilenummer

ABC-DMN3016LDN-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für DMN3016LDN-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN3016LDN-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : -

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1415pF @ 15V

Leistung max : -

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Supplier Device Package : V-DFN3030-8 (Type J)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : DMN3 , DMN301

Dokumente für DMN3016LDN-13

Datenblätter : DMN3016LDN-13.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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