IPI100N06S3L04XK - MOSFET N-CH 55V 100A TO-262

Hersteller Teilenummer

IPI100N06S3L04XK

Interne Teilenummer

ABC-IPI100N06S3L04XK

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 55V 100A TO-262

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

252749 Pieces

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Technische Daten für IPI100N06S3L04XK

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPI100N06S3L04XK

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 100A TO-262

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 150µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 362nC @ 10V

Vgs (Max) : ±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 17270pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 214W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : PG-TO262-3

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IPI100N06S3L04XK

Datenblätter : IPI100N06S3L04XK.pdf

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