JAN1N5809US - DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Hersteller Teilenummer

JAN1N5809US

Interne Teilenummer

ABC-JAN1N5809US

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

79938 Pieces

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Technische Daten für JAN1N5809US

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : JAN1N5809US

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Serie : Military, MIL-PRF-19500/477

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 4A

Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : 30ns

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : SQ-MELF, B

Supplier Device Package : B, SQ-MELF

Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für JAN1N5809US

Datenblätter : JAN1N5809US.pdf

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