SQ2315ES-T1_GE3 - MOSFET P-CHAN 12V SOT23

Hersteller Teilenummer

SQ2315ES-T1_GE3

Interne Teilenummer

ABC-SQ2315ES-T1_GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CHAN 12V SOT23

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

3022383 Pieces

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Technische Daten für SQ2315ES-T1_GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SQ2315ES-T1_GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET P-CHAN 12V SOT23

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 870pF @ 4V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SOT-23-3 (TO-236)

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SQ231 , SQ2315E

Dokumente für SQ2315ES-T1_GE3

Datenblätter : SQ2315ES-T1_GE3.pdf

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