RQA0002DNSTB-E - MOSFET N-CH HWSON2

Hersteller Teilenummer

RQA0002DNSTB-E

Interne Teilenummer

ABC-RQA0002DNSTB-E

Hersteller

Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH HWSON2

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

44590 Pieces

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Technische Daten für RQA0002DNSTB-E

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RQA0002DNSTB-E

Hersteller : Renesas Electronics America

Beschreibung : MOSFET N-CH HWSON2

Serie : *

Teilestatus : Last Time Buy

FET-Typ : -

Technologie : -

Drain-Source-Spannung (Vdss) : -

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : -

Betriebstemperatur : -

Befestigungsart : -

Supplier Device Package : -

Paket / fall : -

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : RQA0 , RQA0002

Dokumente für RQA0002DNSTB-E

Datenblätter : RQA0002DNSTB-E.pdf

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