1N5408GHB0G - DIODE GEN PURP 3A DO201AD

Hersteller Teilenummer

1N5408GHB0G

Interne Teilenummer

ABC-1N5408GHB0G

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 3A DO201AD

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

8022658 Pieces

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Technische Daten für 1N5408GHB0G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 1N5408GHB0G

Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation

Beschreibung : DIODE GEN PURP 3A DO201AD

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : -

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 3A

Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : -

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F : 25pF @ 4V, 1MHz

Befestigungsart : Through Hole

Paket / fall : DO-201AD, Axial

Supplier Device Package : DO-201AD

Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : 1N5 , 1N540

Dokumente für 1N5408GHB0G

Datenblätter : 1N5408GHB0G.pdf

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