SIHH24N65E-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK

Hersteller Teilenummer

SIHH24N65E-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SIHH24N65E-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

192192 Pieces

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Technische Daten für SIHH24N65E-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIHH24N65E-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 23A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 116nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2814pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 202W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerPAK® 8 x 8

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SIHH2 , SIHH24N6

Dokumente für SIHH24N65E-T1-GE3

Datenblätter : SIHH24N65E-T1-GE3.pdf

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