SI1039X-T1-GE3 - MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89

Hersteller Teilenummer

SI1039X-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SI1039X-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SI1039X-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI1039X-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 870mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 165 mOhm @ 870mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 450mV @ 250µA (Min)

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 170mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SC-89-6

Paket / fall : SOT-563, SOT-666

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI10 , SI1039X

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Datenblätter : SI1039X-T1-GE3.pdf

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